제목 | 신소재공학과 박막소자연구실 ‘2022한국전기전자재료학회 하계학술대회(KIEEME 2022)학부생 경진대회에서 최우수상, 우수상, 장려상 동시 수상 | 날짜 | 2022-06-28 | 조회수 | 2001 |
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작성자 | 관리자 | ||||
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신소재공학과 박막소자연구실(지도교수: 한정환 교수) 소속 연구원인 이재현(신소재공학과 학석사 연계과정), 장희원(신소재공학과 학사과정), 윤필주(신소재공학과 학사과정), 김재연(신소재공학과 학사과정) 그리고 조원호(신소재공학과 학사과정)이 지난 6월 22일~ 6월 24일 평창 알펜시아리조트에서 개최되었던 한국전기전자재료학회 하계학술대회(KIEEME 2022)에서 각각 학부생경진대회 부문 최우수상(이재현), 우수상(장희원)과 장려상(윤필주, 김재연, 조원호)을 수상하였다.
1987년 설립된 한국전기전자재료학회는 전기전자재료 분야 산학연 전문가의 논문 발표와 토론을 통해 학문 및 산업의 발달과 국가 경제성장 발전에 기여하고 있으며, 학술대회를 주관하여 국내 전기전자재료 연구 개발의 최신 동향을 발표하고, 첨단 기술에 대해 학습할 수 있는 기회를 제공하고 있다. ![]() 학부과정 장희원은 "Effect of HfO2 or ZrO2 Sub- on the Growth characteristics of Atomic--Deposited SnO Film"의 연구에서 ALD로 성장시킨 HfO2와 ZrO2 sub 위에서의 SnO 박막 성장 거동과 이를 적용한 SnO Thin Film Transistor의 전기적 특성을 분석하였다. 이 연구는 같은 연구실의 석사과정 김진아 학생의 도움을 받아 수행하였다. ![]() 학부과정 이재현은 “Phase engineering and film characteristics of RF magnetron sputtered MoO2 thin films”를 주제로 하여 RF magnetron sputtering을 통해 MoO2 를 증착할 수 있는 조건을 확보하였고, 여러 조건에서 증착한 MoO2의 특성을 비교하였으며, 이를 capacitor 소자에 적용하고 전기적 특성을 평가하여, 차세대 capacitor의 electrode 로서의 적용 가능성을 제시하였다. 이 연구는 같은 연구실의 박사과정 강완구 학생의 도움을 받아 수행하였다. ![]() 학부과정 윤필주는 “Improved Ga2O3 growth characteristics using three-step atomic deposition using newly synthesized Ga precursor”를 주제로 하여 신규 Ga 전구체의 ALD 공정 개발 및 이를 통해 증착한 Ga2O3 박막의 특성을 분석하였고, 이를 Three-step ALD로 발전시켜 더 나은 박막 성장 거동을 나타내는 ALD 공정을 개발하였다. 이 연구는 같은 연구실의 석사과정 조현희 학생의 도움을 받아 수행하였다.
![]() 학부과정 조원호는 “Hollow Cathode Plasma Atomic Deposition of NbN Film Using Novel Nb Precursor for Advanced Interconnect Application”를 주제로 하여 Hollow Cathode Plasma ALD를 통해 성장시킨 Niobium nitride 박막의 성장거동 및 증착조건을 확보하였다. 또한 박막의 조성, 결정성, 전기적 특성과 같은 박막특성을 분석하였다. 이 연구는 같은 연구실의 박사과정 강완구 학생의 도움을 받아 수행하였다.
![]() 학부과정 김재연은 “Growth and Film Characteristic of Ultrathin(<5nm) Ruthenium Film deposited by Atomic Deposition”를 주제로 하여 새로운 Ru 전구체 TRuST를 이용하여 ALD 증착 조건을 확보하였고, 암모니아 플라즈마 전처리를 통하여 수 nm에서의 박막 성장률 향상 및 비저항 개선 효과를 얻음으로써 차세대 배선 물질로의 Ruthenium 적용 가능성을 제시하였다. 이 연구는 같은 연구실의 졸업생 고은총 학생의 도움을 받아 수행하였다.
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